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和蒙特卡罗分析值。器件降额分析需包含电压、电流、温升。ADC输入需要RC电路抗混叠，但是要注意其输入电阻，是否能提供足够的电流驱动内部的保持电容。ADC的输入电流最好不大于10mA。ADC上电瞬间输入

，然后是过流，最后是短路保护。以下电路同上有过流、过压保护功能3。OCP: F1为PTC(正温度热敏电阻)，当电流大时阻值会变大，确保流过的电流维持一定值;2).OVP: 当输入电压小于8.2V时，稳

的基础上做些工艺上的优化，以减少钳位电压。比如齐纳二极管可能使用的衬底片；而TVS为了降低衬底引入的电阻，会采用高掺杂的衬底片加外延的方式来降低衬底引入的电阻，从而降低TVS的动态阻抗，达到降低钳位电

0-4-5）3。标准主要是模拟间接雷击产生的各种情况：雷电击中外部线路，有大量电流流入外部线路或接地电阻，因而产生的干扰电压。间接雷击（如云层间或云层内的雷击）在外部线路上感应出电压和电流。雷电击中线

线制成的圆形平面线圈。替代配置是PCB或柔性电路线圈，通常情况下，这些替代物可能有更高的直流(DC)电阻(更低的效率)，但会非常纤薄，该特性很适合小型低功耗应用2。屏蔽层可阻止交流电磁场进入电子器件和

放大器变振荡器原理探讨了运算放大器在容性负载下可能产生的不稳定性问题。文章首先解释了运算放大器的输出电阻与容性负载共同作用下，可能导致电路在特定频率下产生极点，从而影响电路的稳定性。为了解决这一问题，

用TI-TINA仿真，结果如下图所示，将其与Matlab仿真结果(程序文件见4)放一起对比。在10k电阻上并联1uF电容，再次仿真，如下图所示。并联1uF后，运放的Aol不变，1/β=(1+RF/RI

、振荡原理以及5倍频率的来源。首先，晶振的等效模型包括并联电容C0、振荡电感Lm、振荡电容Cm和振荡电阻Rm。通过Python编程，可以模拟晶振的阻抗和频率响应。其次，晶振的振荡原理需要晶振处于电感区

larm)的导纳(admittance)是接近最小阻抗值R1。这时候整个石英晶体共振子的表现仅是一个电阻性的组件。电阻值R1是整个组件的机械性能量损耗。其中包含了石英材料，接着材料及封装材料上所有的能

反相端偏置电流。 - Rs+、Rs-：输入同相/反相端等效阻抗，即输入端看过去的阻抗。其值为信号源电阻+输入电阻，再与反馈电阻并联得到等效阻抗。分析时可以将输出接地，信号源短路接地，使用偏置电流作为

放大器的参数，包括输入特性（输入失调电压Vos、输入偏置电流Ib、输入失调电流Ios、输入电容/输入电阻Cin/Rin、输入电压范围Vin）、大信号电压增益Aov、共模抑制比CMRR、输出特性（输出电

，再连接到板卡上，通过滤波、放大后进入ADC，最终转换为电压信号。由于人体信号微弱，且人体存在一定的电阻，所以电极片与人体间会有极化电压2；另外导联线通常是屏蔽线缆，线缆过长会有线缆阻抗，出现共模电压

C实现热电偶或PRTD的动态测量。该设计提高了系统精度，降低了校准要求。3线和4线RTD配置 由于铂电阻温度检测器(RTD)具有优异的精度和可互换性，所以得到过程控制应用中关键温度测量的青睐。铂PRT

和蒙特卡罗分析值。器件降额分析需包含电压、电流、温升。ADC输入需要RC电路抗混叠，但是要注意其输入电阻，是否能提供足够的电流驱动内部的保持电容。ADC的输入电流最好不大于10mA。ADC上电瞬间输入

和皮下阻抗）在接触电源的频率不高(约1000Hz 以下)的情况下，可以说几乎是一个纯阻的阻抗，而其中电阻的大小和电流流通的途径有着绝对的关系，一般的安规标准会将体内阻抗以500ohm作为合理的参考值，

做WCT（威尔逊中心点）。使用TI-TINA对该架构进行仿真，如下图所示。将皮肤阻抗，线缆分布电容、电阻都考虑在内，使用屏蔽驱动和右腿驱动，通过差分放大（此时输出的信号为直流耦合信号），经过大电容耦合

3》标准。以杭州百惠Holter为例，分析了其技术指标，特别是频率响应范围。通过仿真电路，测试了不同电阻和电容组合下的频率响应，发现只有当截止频率为0.05Hz时，系统才能满足标准要求。这对于确保心电

压器 VSWW幅度与占空比的关系降压稳压器输出LC级传递函数如下：其中，L为输出电感值，DCR为电感电阻值，CL为电感并联电容值。COUT为输出容量值。ESL为电容串联电感值。ESR为电容串联电阻值。

传导发射限值为了应对 CISPR 25 限值带来的挑战，尤其是 FM 频带方面，请注意，50Ω 测量电阻产生的 18dBμV 对应的噪声电流仅为 159nA。测量传导 EMILISN 测量 EUT 产

放到已校准的声腔口上,用测试表笔测试MIC的两个极(注意两个表笔的方向),注意MIC的工作电压和负载电阻,可以从测试仪上直接读取70Hz和1KHz的灵敏度.方向性方向性描述麦克风的灵敏度随声源空间位置

Rg(Cgs+Cgdlow)。就是说Vgs上电时，RC电路充放电，给GS、GD电容充电。其中R为G极电阻，电容有Cgs和Cgd的一部分。此时的VDD是已经加在上面的稳定电源，当驱动电压加上时，Vds&

为NMOS管主要看衬底是否为N型。 N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底，高掺杂沟道部分的体电阻小。然后上面为为N-的epi层，上面有两个连续的扩散区P-，沟道在P-区形成。在P-区内部，扩散

TVS管为低容值 | | 接口数字信号必须预留ESD管，并联1k电阻，防止管脚击穿 | 考虑ESD的电容和钳位电压是否影响逻辑电平