推挽缓冲电路设计（Snubber Circuits）

获取变压器参数和PCB参数

1. 测试变压器初级电感L和初级漏感Lm：次级开路，用LCR测试初级电感为L；次级短路，用LCR测试初级电感为漏感Lm
2. 测试变压器初级电容和次级电容：使用LCR测试初级和次级的分布电容
3. 去掉变压器，MOS管不上电，用LCR测试初级电感脚位的电容为PCB分布电容

计算RC——方法一

1. 测试初级（MOS的D端）的电压波形，确认脉冲振荡频率fr1
2. 测试未上电时，焊上变压器后，使用LCR测试初级（MOS的D端）的分布电容Cpar
3. 计算计生电感Lpar：$L_{par}=\frac{1}{(2\pi fr)^2C_{par}}$
4. 计算特征阻抗：$Z=\sqrt{\frac{L_{par}}{C_{par}}}$

根据经验，缓冲电路的R和C分别为：

$R=Z$

$C=7 \sim 10 C_{par}$

rc时间常数为：$\tau=RC=7ZC_{par}=7\sqrt{L_{par}C_{par}} > 2\pi\sqrt{L_{par}C_{par}}$，即比振荡频率要大，对于振荡信号来说相当于是个RC低通滤波器。

吸收电路需要在至少1个周期内完成放电，故时间常数也不能大于fs（开关频率）。

由于开关时会进行充放电，故在R上会消耗2次，功率为：$P=2f_s(\frac{1}{2}C{Vpeak}^2)=f_sC{{Vpeak}^2}$。fs为开关频率，C为RC的电容，Vpeak为mos的D端振荡的峰值电压。根据这个功率估算电阻需要的封装大小。

计算RC——方法二

不使用LCR仪器的情况下，只使用示波器可以进行近似计算。

1. 测试初级（MOS的D端）的电压波形，确认脉冲振荡频率fr1：$fr_1=\frac{1}{2\pi \sqrt{L_{par}C_{par}}}$
2. RC电路焊接0R+Cadd，即只焊接一个电容，比如100pF，测试脉冲振荡频率fr2：$fr_2=\frac{1}{2\pi \sqrt{L_{par}(C_{par}+C_{add})}}$
3. 计算特征阻抗R：$R=Z=\frac{1}{2\pi C_{add} f_{r1}}(\frac{f_{r1}^2}{f_{r2}^2}-1)$
4. 估算C：$C=\frac{2}{\pi f_{r1}R}$