Articles under the label of 电容

本文介绍了静电放电（ESD）对电子设备的影响，包括HBM和CDM两种模型。CDM模型模拟带电器件对地放电，上升时间短，电流峰值大，维持时间短，保护电路难以及时响应。ESD测试主要采用HBM模型，分为接触放电和空气放电。测试方法遵循IEC61000-4-2和EN301489-1标准。静电辐射频率成分不...

本文介绍了接口防护中的浪涌问题，包括浪涌的定义、类型、特点以及对电子设备的影响。浪涌是由雷电、开关操作等引起的瞬态高压噪声，分为雷涌、开关浪涌、负载突降浪涌和ESD。浪涌可能导致大面积损坏、焊盘/金属层烧坏等问题。文章详细讨论了浪涌的防护措施，如共模浪涌抑制电路、超高浪涌电压抑制电路等，并提供了浪涌...

本文介绍了晶振的等效模型、振荡原理以及5倍频率的来源。首先，晶振的等效模型包括并联电容C0、振荡电感Lm、振荡电容Cm和振荡电阻Rm。通过Python编程，可以模拟晶振的阻抗和频率响应。其次，晶振的振荡原理需要晶振处于电感区，与外部电容形成LC振荡，提供180°相移。最后，5倍频率的来源与晶振的负阻...

晶振名词解释晶振简单说明1公称频率及容许误差(NominalFrequencyandTolerance)在正确的振荡线路匹配下，从振荡线路输出的频率，称之为“公称频率(nominalfrequency)”。频率单位为MHz或KHz。实际的批量生产及振荡线路应用上，产品在室温环境(25°)中都会有一些相对于中心频率的频率散布误差。这类型的频率容许误差的最大散布值，一般是以ppm(partspe...

电容的直流偏压特性MLCC电容使用过程中极容易忽视其直流偏压特性：电容容量会受到直流电压的影响，一般表现为直流电压越高，容量越低。而其根本原因为陶瓷电容的材料钛酸钡BaTiO3，钛酸钡是一种铁磁性材料，其分子附着在结构钡2 +、氧2 -、钛4 +上。在这种情况下，钛位于中间。该分子结构在高于居里温度(约+ 125℃)时具有立方晶体结构，在低于居里温度时则变为四方晶体结构。这会产生称为偶极子的...