本文介绍了MOSFET的静态和动态参数。静态参数包括漏电流Idss、开启电压Vth、导通阻抗Rds、击穿电压V(br)ds、最大漏电流Id和低频跨导gfs。动态参数涉及寄生电容，包括输入电容Ciss、输出电容Coss和反向转移电容Crss。文章还详细解释了MOS管导通过程中的动态特性，包括驱动电压上...
这里主要针对增强型MOS管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NMOSFET，G、S、D为3个金属电极，其中S、D的电极接到N+切被P-包围，G极与其他两极绝缘，N+为衬底（高掺浓度），N-为外延层（地掺浓度)。 判断是否为NMOS管主要看衬底是否为N型。 N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底，高掺杂沟道部分的体电阻小。然后上面为为N-的epi层，上面有两个连续的扩散区P-，沟道...