AI摘要：本文介绍了MOSFET的静态和动态参数。静态参数包括漏电流Idss、开启电压Vth、导通阻抗Rds、击穿电压V(br)ds、最大漏电流Id和低频跨导gfs。动态参数涉及寄生电容，包括输入电容Ciss、输出电容Coss和反向转移电容Crss。文章还详细解释了MOS管导通过程中的动态特性，包括驱动电压上升、导电沟道形成、密勒平台形成和Cgd放电过程。最后，提供了MOSFET驱动电路设计的参考资料。
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静态参数
Idss
==D→S漏电流==
饱和漏源电流，栅极电压VGS=0时VDS为一定值并产生预夹断时的漏源电流。一般在uA级。
Vth
==GS开启电压==
Vgs>Vth时导通沟道形成
Rds
在特定的 VGS （一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，==MOSFET导通时漏源间的最大阻抗==。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
V(br)ds
漏源击穿电压。是指栅源电压 VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压，Vds超过此值会使管子损坏。
Id
==最大漏源电流==
场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。
gfs
==低频跨导==
是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。其曲线如下图所示。 
动态参数
MOS管的动态特性与寄生电容有关，其等效模型如下所示。 
其中
- Input capacitance:Ciss = Cgd + Cgs
- Output capacitance:Coss = Cgd + Cds
- Reverse transfer capacitance:Crss = Cgd
整个NMOS管导通时如下图所示。 
分解开来如下图所示。 
t0~t1：驱动电压瞬间拉高时，Vgs从0上升到Vth，上升的时间常数t=Rg(Cgs+Cgdlow)。就是说Vgs上电时，RC电路充放电，给GS、GD电容充电。其中R为G极电阻，电容有Cgs和Cgd的一部分。此时的VDD是已经加在上面的稳定电源，当驱动电压加上时，Vds>Vgs，故导通前Cgd由DG之间充电，Vgs上升过程中Vgs给Cgd充电。由于MOS管没导通，所以DS之间电压不变，而Ig随着电容的充电而慢慢降低，该区域为夹断区。
t1~t2：Vgs达到Vth后，形成导电沟道，开始有Id电流，但电流比较小。Id与Vgs之间成线性关系（如上面图gfs所示），当Vgs增大时，DS处于导通状态，Vds降低，但是Vds降低使Cgd增加，这又反过来导致Vgs分了部分电流给增加的电容充电，使Vds趋于恒定，形成一种负反馈。另外一种解释，Vgs增大时，反型层靠近S端随Vgs而变宽，靠近D端变窄，导致gd电容变大。当形成预夹断时Id的电流接近最大值。该区域为电阻区。
t2~t4：Id达到最大值保持不变，导电沟道达到最大。由于上电时VDD已给Cgd充满电，当Vgs开启时，在t1~t2阶段，Cgd电容增大，驱动电流补电，导致Vds不变，当预夹断形成时Cdg基本不变，驱动电流不再补电，Cgd快速放电，Cgd放电时Vgs给它补电，故gs之间电流基本不变，Cgd放电与Vgs充电形成平衡，Vgs不变，形成平台。这个平台就是密勒平台。
为什么Cgd在t2时刻开始快速放电，因为t1时刻放电电流小，没有形成最大的导电沟道，导通电阻大，放电缓慢，当导电沟道完全成型后，放电最大化，Cgd开始快速放电，在放电过程中，Cgs的电被Cgd吸取部分，同时Vgs又补充部分，形成平衡，故密勒平台时期Vgs不变，Ig不变。
t4：Cgd放电完成，VDD通过沟道提供电流给负载，此时Vgs继续给Cgs、Cgd充电直到两者饱和。
总的来说就是：VDD上电后Vgd已充满，Vgs开启时，Ig先给Cgs、Cgd充电直到导电通道形成，然后Cgd、Cgs放电（密勒平台），然后Vgs继续上升给Cgd、Cgs充电直到Vgs达到设定值。