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初级和次级漏感，另一种是将次级漏感和自感全部等效，按照工程定义测量漏感和自感。工程定义等效电路将耦合电容加入等效电路中，如下图所示。换算到一次侧则如下图所示。一般无线充电TX端为全桥逆变电路，输入的不

，另有一些则提供了关于“小信号过冲与容性负载之间关系”的典型数据。查看这些数值，可以发现过冲随着负载电容增加成倍递增。当过冲接近100%时，运算放大器便趋于不稳定。如果可能，请让过冲远低于此限值。另外

度，此点对应的是Aol与1/β的交点(fcl)。按要求，相位裕度要大于45°，以防止其他原因（如寄生电容）导致增加零极点。如果相位裕度小于45°，出现零极点必然会出现相位变化大于180°。加入相位裕度

。对于简单的RC低通电路，来说初始情况下，输出与输入相位相同，起始相位为0°；对于RC高通电路，由于电容作用，起始相位反相为180°。对于正向放大电路，输出与输入同相，起始相位为0°；对于反向放大电路

不作具体说明，文后会提供参考文档晶振的等效模型石英晶体的等效模型如下图所示。C0：代表电极引入的并联电容Lm：（振荡电感）代表晶体的振荡量Cm：（振荡电容）代表晶体的振荡弹性Rm：（振荡电阻）代表电流

er)的高频倍频可以发生，偶数倍(evennumber)的倍频共振在石英晶体共振子是不会存在的。负载电容(LoadCapacitance，CL)振荡线路上的”负载电容(loadcapacitance)

，因为最终是乘以β，故两者是镜像弯折时必然不稳定，如下图所示。 上图2中使用1GH电感隔离和1GF电容隔离的原理是在进行交流SPICE分析时，随着频率增加，CT将逐渐变成短路而LT将逐渐变成开路

运算放大器稳定性分析——运放等效电路开环增益等效电路由于运放内部由寄生电容，导致运放的相位并不是一直不变的，而是根据频率变化的。OPA364的开环增益如下图所示。低频极点为25Hz，高频极点为25MH

Note：根据上文，已经忽略了1/f噪声。计算输入噪声峰峰值，乘以系数6.6或6即可。对于使用了补偿电容的运放，噪声分析可参考《MT-050_cn》6。另外，噪声与温度的平方根成正比，而与供电电流的平

置电流对Vout的影响如下所示。若要偏置电流的影响为0，则RS为RF与RI的并联，推导如下所示。输入电容/输入电阻Cin/Rin下面使用等效电路说明运放的输入电容和输入电阻概念。输入失调电压：Vos输

如下所示5。高通的截止频率由C1和R1决定，C2进行相位补偿，R2调节比例。其中C1也可以称为“隔直电容”，用于通交流阻直流。脉冲信号的交流部分通过，直流部分被抑制。在后面使用双路阈值（窗口阈值）比较

为消除热电偶引线拾取的噪声，这种应用中的MAX1402(图14)采用缓冲模式，允许前端具有较大去耦电容。该模式下，由于降低了可用的共模范围，必须将AIN2输入偏置在基准电压(2.5V)。热电偶测量带

经验总结比较器输入端加滤波电路，滤除高频干扰，防止误触发。至少并联一个电容。推广到其他设计，就是差分输入预留对地和跨接电容。运放的反馈端并联电容，或者并联RC。用于相位调整。差分运放适当设置偏置电压以

同时或几乎同时进行。另外，心脏除颤时，多数ECG设备需要快速恢复，但由于心脏除颤会导致前端电路和充电电容饱和，这些容性耦合电路会延长恢复时间。各种ECG应用中的AFE功能AFE架构AFE架构对系统性能

的采集电路，从信号链的架构上可以分为两类：交流耦合、直流耦合。交流耦合交流耦合电路使用分立器件，使用电容的隔直功能将心电信号提取出来。基本架构如下图所示。信号通过抗除颤、抗静电保护，经过低通滤除高频干

如下图所示。使用3mV/100ms方波信号，观察输出波形。仿真结果如下图所示。可见，由于20k的对地电容，放电较快，斜率较高。而300k对地电容放电慢，斜率低。从图中可见300k电阻的斜率基本为0，计

空比的关系降压稳压器输出LC级传递函数如下：其中，L为输出电感值，DCR为电感电阻值，CL为电感并联电容值。COUT为输出容量值。ESL为电容串联电感值。ESR为电容串联电阻值。因此，VOUT可表示如

电容的直流偏压特性MLCC电容使用过程中极容易忽视其直流偏压特性：电容容量会受到直流电压的影响，一般表现为直流电压越高，容量越低。而其根本原因为陶瓷电容的材料钛酸钡BaTiO3，钛酸钡是一种铁磁性材料

ISN 可能包含一个或多个独立 LISN 电路。LISN 的实质是 pi 滤波器网络。通过低通电感-电容 (LC) 滤波器，EUT 与输入电源线 L 和 N 相连，如图 3 所示。LISN 电感值基于

电磁式/舌簧式：带铁芯的线圈和薄钢膜，线圈通过电流时产生磁场，吸引钢膜运动发声。 电容式/静电式：平板型电容器原理，通过信号的极性变化与相对电极产生吸引和排斥带动振膜运动发声。 2.

耗。麦克风是把声学信号转换为电信号以供助听器音频信号链处理的传感器。有许多技术可用于这种声电转换，但电容麦克风是其中尺寸最小、精度最高的一类麦克风。电容麦克风中的薄膜随着声学信号而运动，这种运动引起电

之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。其曲线如下图所示。 动态参数MOS管的动态特性与寄生电容有关，其等效模型如下所示。 其中Input capacitance:Ciss = Cgd + C

过公共地电阻产生的反击高压，的脉冲产生电路。4kV时的单脉冲能量为100焦耳。 图中Cs是储能电容（大约为10uF，相当于雷云电容）； Us为高压电源； Rc为充电电阻； Rs

P=Vclamp*(Vsurge-Vclamp)/2** - **注意高速信号线上选择低容（低的结电容Cj）** - **注意漏电流大小** - **注意耦合辐射杂散和Dense** - **