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  • 接口防护指南——其他

    章通过图解和实例，详细解释了各种保护电路的设计和工作原理，如过压保护（OVP）和防反电路。OVP通过mos通断实现保护，而防反电路则使用二极管、桥式整流或mos管。文章还对比了TVS和OVP的差异，并

  • 晶振仿真

    12。rqz为90k，管脚为12、2。cp为1.2pF，管脚为1、2。最终模型参数如下图所示。使用Pmos和Nmos搭建的Cmos电路对以上模型进行仿真，电路图和仿真结果如下图所示。等效ESR根据晶振

  • 运算放大器——参数说明

    到中心电平，也可以通过上电阻和下电阻分压拉到中心电平，或者上电阻拉到正电源、下电阻拉到负电源。对于Cmos的输入级，输入偏置电流和输入失调电流很小。这里要解析下，运放电路中的补偿电阻的含义，在模电中只

  • EMI 的工程师指南

    中，由于 SW 节点处的 dv/dt 较高，产生了 CM 噪声，从而导致产生位移电流。该电流通过与 mosFET 外壳、散热器和 SW 节点走线相关的寄生电容耦合到 GND 系统。与转换器输入或输出端

  • MEMS麦克风——助听器的未来

    ry.MEMS麦克风——助听器的未来转自ANALOGJerad Lewis 和 Dr. Brian moss 下载 PDF由于人口老龄化和听力丧失人群的明显增加，助听器市场不断增长，但其显眼的外形和很

  • mosFET 参数

    AI摘要：本文介绍了mosFET的静态和动态参数。静态参数包括漏电流Idss、开启电压Vth、导通阻抗Rds、击穿电压V(br)ds、最大漏电流Id和低频跨导gfs。动态参数涉及寄生电容，包括输入电容

  • mosFET BASIC

    这里主要针对增强型mos管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NmosFET，G、S、D为3个金属电极，其中S、D的电极接到N+切被P-包围，G极与其他两极绝缘，N+为衬底（高掺浓度），N-为外延