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晶振仿真
12。rqz为90k,管脚为12、2。cp为1.2pF,管脚为1、2。最终模型参数如下图所示。使用Pmos和Nmos搭建的Cmos电路对以上模型进行仿真,电路图和仿真结果如下图所示。等效ESR根据晶振
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运算放大器——参数说明
到中心电平,也可以通过上电阻和下电阻分压拉到中心电平,或者上电阻拉到正电源、下电阻拉到负电源。对于Cmos的输入级,输入偏置电流和输入失调电流很小。这里要解析下,运放电路中的补偿电阻的含义,在模电中只
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EMI 的工程师指南
中,由于 SW 节点处的 dv/dt 较高,产生了 CM 噪声,从而导致产生位移电流。该电流通过与 mosFET 外壳、散热器和 SW 节点走线相关的寄生电容耦合到 GND 系统。与转换器输入或输出端
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MEMS麦克风——助听器的未来
MEMS麦克风——助听器的未来转自ANALOGJerad Lewis 和 Dr. Brian moss 下载 PDF由于人口老龄化和听力丧失人群的明显增加,助听器市场不断增长,但其显眼的外形和很短的电
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mosFET 参数
s>Vth时导通沟道形成Rds在特定的 VGS (一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,==mosFET导通时漏源间的最大阻抗==。它是一个非常重要的参数,决定了 mosFET导通时的消耗功率
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mosFET BASIC
这里主要针对增强型mos管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NmosFET,G、S、D为3个金属电极,其中S、D的电极接到N+切被P-包围,G极与其他两极绝缘,N+为衬底(高掺浓度),N-为外延
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关于
SVTLrCac0zR7nbpwSCTnsxTb6YiL30vk/k1+JZBLPOlkhdxQJ8mosZxPJ49SVKZYCWVflLEeRqoDBw+RWFxNXcBT3gMagk4UxyfG
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关于
SVTLrCac0zR7nbpwSCTnsxTb6YiL30vk/k1+JZBLPOlkhdxQJ8mosZxPJ49SVKZYCWVflLEeRqoDBw+RWFxNXcBT3gMagk4UxyfG
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关于
SVTLrCac0zR7nbpwSCTnsxTb6YiL30vk/k1+JZBLPOlkhdxQJ8mosZxPJ49SVKZYCWVflLEeRqoDBw+RWFxNXcBT3gMagk4UxyfG
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接口防护指南——其他
R44和R81相当于接地,Q21截止,Q22的基极相当于通过R82接于high,Q22导通,Q7(Pmos)导通,有输出;当输入大于8.2V时,稳压管D5相当于导通,Q21的BE极间电压就不为0,则Q