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找到关于 mos 的10条结果（用时 0.159 秒）
  • 晶振仿真

    12。rqz为90k，管脚为12、2。cp为1.2pF，管脚为1、2。最终模型参数如下图所示。使用Pmos和Nmos搭建的Cmos电路对以上模型进行仿真，电路图和仿真结果如下图所示。等效ESR根据晶振

  • 运算放大器——参数说明

    到中心电平，也可以通过上电阻和下电阻分压拉到中心电平，或者上电阻拉到正电源、下电阻拉到负电源。对于Cmos的输入级，输入偏置电流和输入失调电流很小。这里要解析下，运放电路中的补偿电阻的含义，在模电中只

  • EMI 的工程师指南

    中，由于 SW 节点处的 dv/dt 较高，产生了 CM 噪声，从而导致产生位移电流。该电流通过与 mosFET 外壳、散热器和 SW 节点走线相关的寄生电容耦合到 GND 系统。与转换器输入或输出端

  • MEMS麦克风——助听器的未来

    MEMS麦克风——助听器的未来转自ANALOGJerad Lewis 和 Dr. Brian moss 下载 PDF由于人口老龄化和听力丧失人群的明显增加，助听器市场不断增长，但其显眼的外形和很短的电

  • mosFET 参数

    s>Vth时导通沟道形成Rds在特定的 VGS （一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，==mosFET导通时漏源间的最大阻抗==。它是一个非常重要的参数，决定了 mosFET导通时的消耗功率

  • mosFET BASIC

    这里主要针对增强型mos管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NmosFET，G、S、D为3个金属电极，其中S、D的电极接到N+切被P-包围，G极与其他两极绝缘，N+为衬底（高掺浓度），N-为外延

  • 关于

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  • 关于

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  • 关于

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  • 接口防护指南——其他

    R44和R81相当于接地，Q21截止，Q22的基极相当于通过R82接于high，Q22导通，Q7(Pmos)导通，有输出;当输入大于8.2V时，稳压管D5相当于导通，Q21的BE极间电压就不为0，则Q