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  • 运算放大器——参数说明

    BW分别为：从而说明了GBW为常数，且就是单位增益的频率。运放的GBW越高，所需要的电流也越大，而且mosfet所需的电流比BJT的要大。开环增益Aol开环增益曲线与运放的稳定性有关，这个可以参考4由

  • EMI 的工程师指南

    中，由于 SW 节点处的 dv/dt 较高，产生了 CM 噪声，从而导致产生位移电流。该电流通过与 mosfet 外壳、散热器和 SW 节点走线相关的寄生电容耦合到 GND 系统。与转换器输入或输出端

  • mosfet 参数

    AI摘要：本文介绍了mosfet的静态和动态参数。静态参数包括漏电流Idss、开启电压Vth、导通阻抗Rds、击穿电压V(br)ds、最大漏电流Id和低频跨导gfs。动态参数涉及寄生电容，包括输入电容

  • mosfet BASIC

    这里主要针对增强型MOS管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个Nmosfet，G、S、D为3个金属电极，其中S、D的电极接到N+切被P-包围，G极与其他两极绝缘，N+为衬底（高掺浓度），N-为外延