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运放输出端注意容性负载导致震荡。WCA分析，注意最大最小值和蒙特卡罗分析值。器件降额分析需包含电压、电流、温升。ADC输入需要RC电路抗混叠，但是要注意其输入电阻，是否能提供足够的电流驱动内部的保持电

环路带宽对瞬态响应的影响，强调了交越频率、相位裕量和衰减的重要性。文章介绍了电源输出的两种控制方式：电流模式和电压模式，并解释了电流模式的优点。接着，文章详细分析了四种不同的控制方式：Buck电压模式

Summary.接口防护指南——其他非常喜欢ADI的文章1，由于负载存在各种情况，产生了不同的电压/电流变化。如下图所示。为了进行防护，除了浪涌，还有过压、欠压、过流、反向保护。分立或部分IC实现方案

（ESD）对电子设备的影响，包括HBM和CDM两种模型。CDM模型模拟带电器件对地放电，上升时间短，电流峰值大，维持时间短，保护电路难以及时响应。ESD测试主要采用HBM模型，分为接触放电和空气放电。

线熔断内部：硅级别（栅极针孔，晶体管熔断）机制热损坏静电损坏 电压低电压高（>500V） 峰值电流10A~100A峰值电流1A~24A 持续时间1us~10min持续时间短（<300ns）

们认为无论是在发射端还是接收端，以下要素都非常重要：集成度：集成度高则开关损耗、EMI都会降低，整个电流回路会变小。尽量降低检测损耗。充电线圈典型的线圈结构是一种在屏蔽层上用铜线制成的圆形平面线圈。替

r的变压器。简化的耦合电路如上图所示。线圈互感为M原边线圈电感为L1，副边为L2输入电压为V1，输入电流为I1输出电压为V2，输出电流为I2电流 $i_1$ 经过一次侧线圈产生磁通 $\phi_1$

了贴片电感的仿真过程，包括静磁场仿真、涡流场联合静磁场仿真、瞬态联合仿真和电路联合仿真。通过设置激励电流和绕线电感线圈的匝数，可以得到电感的交流阻抗和感量。在瞬态仿真中，通过设置外部电流激励源和Tra

并联电容Lm：（振荡电感）代表晶体的振荡量Cm：（振荡电容）代表晶体的振荡弹性Rm：（振荡电阻）代表电流损耗晶体的阻抗计算如下图所示。以上公式忽略了Rm的作用，在以下程序中并未忽略该参数。from s

ng) - Vos：运放自身输入失调电压。 - IB+、IB-：运放自身输入同相/反相端偏置电流。 - Rs+、Rs-：输入同相/反相端等效阻抗，即输入端看过去的阻抗。其值为信号源电阻+输入

摘要：本文以AD8603为例，详细解析了运算放大器的参数，包括输入特性（输入失调电压Vos、输入偏置电流Ib、输入失调电流Ios、输入电容/输入电阻Cin/Rin、输入电压范围Vin）、大信号电压增益

的基本电路框图如下所示。其原理可以参考ECG信号内容。一般其技术指标类似：输入阻抗：≥5MΩ输入偏置电流：<2nA等效输入噪声：<30uVpp共模抑制比：50Hz正弦信号的共模抑制比≥90

件处理小信号。例如，MAX1402芯片包括众多功能，被作为片上系统(图12)。器件在工作模式下的静态电流低至250µA(关断模式下为2µA)，480sps速率时的精度为16位，4800sps速率时的精

运放输出端注意容性负载导致震荡。WCA分析，注意最大最小值和蒙特卡罗分析值。器件降额分析需包含电压、电流、温升。ADC输入需要RC电路抗混叠，但是要注意其输入电阻，是否能提供足够的电流驱动内部的保持电

的溶液会发生反应，其产生的电极电位比较稳定，约为223mV。 当电极与溶液间的界面形成的双电层在有电流通过时，界面间电位发生变化。变化剧烈的电极称为“高度极化电极”，否则称为“不极化电极”。 人体

。 在除极过程中，Na+内流，K+外流，形成反向电势差，电位突变产生脉冲信号。同时会传导下去，形成电流信号。传导完成后细胞膜复极，缓慢恢复到初始期。 从人体体表采集到各心肌细胞的动作电位叠加后形成

要，有助于设计低噪声开关解决方案，使之产生与LDO稳压器相当的低噪声性能。本文分析和评估的目标是采用电流模式控制的降压稳压器，因为它在应用中很常用。信号分析是了解开关纹波噪声、当前宽带噪声特性（及其来

转换器而言，虽然采用开关更快的电源器件可以提升开关频率并缩小尺寸，但在开关转换期间出现的开关电压和电流转换率（dv/dt 和 di/dt）有所提升，通常引起 EMI 加剧，导致整个系统出现问题。例如

声器，压电材料施加电压缩张带动振膜运动发声。 电磁式/舌簧式：带铁芯的线圈和薄钢膜，线圈通过电流时产生磁场，吸引钢膜运动发声。 电容式/静电式：平板型电容器原理，通过信号的极性变化与相

AI摘要：本文介绍了MOSFET的静态和动态参数。静态参数包括漏电流Idss、开启电压Vth、导通阻抗Rds、击穿电压V(br)ds、最大漏电流Id和低频跨导gfs。动态参数涉及寄生电容，包括输入电容

的电子密度要大于空穴，从而出现“反转”，即在栅极下面的P-区的材料从P型变成N型，形成N型“沟道”，电流可以直接通过漏极的N+型区、N-型区、栅极下面N型沟道，流到源极N+型区。 简化的NMOS管驱动