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  • 自制TFrecords数据集训练

    在没有标签的测试集上做出预测。其中采样率为500 Hz,格式为MAT格式。该文件中存储了12个导联的电压信号。训练数据对应的标签存储在txt文件中,其中0代表正常,1代表异常。文件数如下图所示。读取数

  • 无线充电

    W设计需要更高的二次绕组电感,可能需要具有更多匝数、更大屏蔽层的较高电感的接收端线圈,才能达到所需的电压增益。接收端线圈尺寸的设计权衡因素包括线圈导线直径、屏蔽层尺寸和厚度。线圈直流电阻会使接收端效率

  • 无线充电原理

    ,铁心为空气Air的变压器。简化的耦合电路如上图所示。线圈互感为M原边线圈电感为L1,副边为L2输入电压为V1,输入电流为I1输出电压为V2,输出电流为I2电流 $i_1$ 经过一次侧线圈产生磁通 $

  • 贴片电感仿真

    如下图所示。仿真结果为初始状态时,RL会上升到7.8429V,之后经过330us进入稳定状态,稳定时电压约为4.13V。TINA验证仿真使用TINA进行验证,电感使用涡流场联合仿真的电感参数。由仿真结

  • 放大器变振荡器原理

    可以看相位响应,在环路相移超过-180°的频率,如果此频率低于闭环带宽,则运算放大器往往会发生振荡。电压反馈型运算放大器电路的闭环带宽等于运算放太器的增益带宽积(GBP,或单位增益频率)除以电路的闭环

  • 运算放大器稳定性分析——运放SPICE模型建立

    /decade,解得x=4.6MHz。 使用SPICE模型仿真,其中极点和零点使用RC电路,使用压控电压源无损传递。仿真出来0dB为8.68MHz,为了与7.4MHz相符,需要修改优化。 相位曲线相比

  • 运算放大器稳定性分析——运放等效电路

    64的开环增益如下图所示。低频极点为25Hz,高频极点为25MHz。使用RC模拟极点,VCVS(压控电压源)隔离。等效电路如下图所示。可见与Datasheet基本符合,但是在高频80MHz附近不完美,

  • 运算放大器——噪声说明

    ANCE ANALYSIS》1关于直流误差的分析。可知运放的等效输入误差为:Vos:运放自身输入失调电压。IB+、IB-:运放自身输入同相/反相端偏置电流。Rs+、Rs-:输入同相/反相端等效阻抗,即

  • 运算放大器——参数说明

    器——参数说明以AD8603为例,进行图、表参数解析AD8603的参数表如下图所示。输入特性输入失调电压Vos源于运放差分输入级两个管子不匹配所致,其结果是差分输入两端电压相同时,输出不为0。输入失调

  • 共模电压

    共模电压上图为标准差分放大电路,差分输入,单端输出。啥也不说,公式搞起。可知,V1、V2端都加上了共模电压,如果共模电压很大,则无法实现电压跟随,Vin会被淹没在饱和电平中。V3和V4都会引入Vdc,

  • ECG信号提取——前置滤波电路

    t;2nA等效输入噪声:<30uVpp共模抑制比:50Hz正弦信号的共模抑制比≥90dB耐极化电压:±300mV漏电流:<30uA频带:0.05~100Hz采集心电信号时,使用电极片贴在人

  • Σ-Δ模数转换器(ADC)揭秘

    器和比较器,以及包含1位DAC的反馈环路。(该DAC为简单开关,将差分放大器的负输入连接至正或负基准电压)。反馈DAC的目的是将积分器的平均输出维持在接近比较器的基准电平。 图4. Σ-Δ调制器方框图

  • 经验总结

    是差分输入预留对地和跨接电容。运放的反馈端并联电容,或者并联RC。用于相位调整。差分运放适当设置偏置电压以提到动态范围,但是要注意放大倍数。多级放大可以降低噪声,模拟电路上面有说明。运放输出端注意容性

  • 心电图仪介绍

    的角度观察心电活动,每个位置都可以作为ECG的一个输出通道显示并打印,每个通道代表两个电极之间的差分电压或某一电极与几个电极平均电压的差值,电极间的不同组合可以显示出比电极数更多的通道。这些通道一般称

  • 极化电压

    对ECG测量中,电极极化电压的解释:金属表面的离子与溶液中极性水分子相互吸引而发生水化作用便产生了电极电位。金属离子进入溶液,电子留在表面。当金属溶解速度和金属离子的沉淀速度相等时,达到动态平衡,此时

  • ECG信号

    叠加后的信号就是看到做QRS波,如下图所示。心电信号主要特点如下所示。频率:0.1~200 Hz电压:0.1~2 mV阻抗:10~30k ohm心电图中的每一个心动循环周期由一系列有规律的波形组成

  • 开关稳压器噪声

    开关稳压器噪声【转】1一般而言,与低压差(LDO)稳压器输出相比,人们认为传统开关稳压器的输出电压噪声很大。然而,LDO电压会引起严重的额外热问题,并使得电源设计更加复杂。全面认识开关稳压器噪声很有必

  • 多层陶瓷芯片电容器

    电容的直流偏压特性MLCC电容使用过程中极容易忽视其直流偏压特性:电容容量会受到直流电压的影响,一般表现为直流电压越高,容量越低。而其根本原因为陶瓷电容的材料钛酸钡BaTiO3,钛酸钡是一种铁磁性材料

  • EMI 的工程师指南

    /DC 转换器而言,虽然采用开关更快的电源器件可以提升开关频率并缩小尺寸,但在开关转换期间出现的开关电压和电流转换率(dv/dt 和 di/dt)有所提升,通常引起 EMI 加剧,导致整个系统出现问题

  • 声学相关基础知识

    于磁场中,通过电磁效应产生作用力带动振膜运动发声。 压电式:高频好常做高音扬声器,压电材料施加电压缩张带动振膜运动发声。 电磁式/舌簧式:带铁芯的线圈和薄钢膜,线圈通过电流时产生磁场,吸

  • MEMS麦克风——助听器的未来

    风设计的电源抑制性能显著提高,典型电源抑制比(PSRR)优于−50 dB。在ECM上,输出信号和偏置电压(电源)共用一个引脚,电源上的任何纹波都会直接出现在输出信号上。MEMS麦克风优异的PSRR为音

  • MIC参数解析

    dB SPL。有关该信号水平的更完整描述,请参见“最大声学输入”部分。灵敏度指输入压力与电气输出(电压或数字字)的比值,即输入1Pa(94dB)的声压时,MIC的输出电压(dBV),相当于单位声压强

  • MOSFET 参数

    静态参数Idss==D→S漏电流== 饱和漏源电流,栅极电压VGS=0时VDS为一定值并产生预夹断时的漏源电流。一般在uA级。Vth==GS开启电压== Vgs>Vth时导通沟道形成Rds在

  • MOSFET BASIC

    后,在连接到栅极的多晶硅层下面,就会形成一个薄的高质量的氧化层,从而产生沟道。 栅极和源极间加正向电压,P-区中的少数载流子,即“少子”,也就是电子,被电场吸引到栅极下面的表面,随着栅极和源极正向偏

  • # 接口防护指南——腐蚀

    做好防水措施,避免进水。比如使用防水胶圈进行密封,使用防水膜进行隔离等。 - 接口不使用时降低电压或者停止供电,虽然不能完全防止电化学反应,但能降低反应速率,提高使用时间。 ## 实验方法

  • 接口防护指南——浪涌

    | 浪涌、静电、热插拔、过充 | 电源接错,电源损坏,腐蚀 | 当超过ESD单元钳位电压的过电压出现在器件端子上时,器件会不会损坏就取决于ESD元件被击穿期间通过它的能量的多少。

  • 接口防护指南——静电

    表明更多的ESD电流会流经保护器件,更少的电流会流经被保护设备。 TVS由于更关注于器件的钳位电压,所以会在齐纳二极管的基础上做些工艺上的优化,以减少钳位电压。比如齐纳二极管可能使用的衬底片;而

  • 接口防护指南——其他

    ## 接口防护指南——其他 非常喜欢ADI的文章[^1],由于负载存在各种情况,产生了不同的电压/电流变化。如下图所示。 ![Figure 1. Overview of some of t