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接口防护指南——静电
# 接口防护指南——静电 静电与浪涌的区别前章[^1]已探讨。 ## 静电esd 这里说的静电主要是2种模型:HBM和CDM。前者是人体模型,后者是充电器件放电模型。两者波形对比如下
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接口防护指南——浪涌
口防护指南——浪涌 接口失效不仅有机械应力、电化学反应导致的失效,最重要的还是电气失效——静电esd和浪涌SURGE。两者的范围如下图所示[^5]。 对于esd表现为低阻抗特性,因此
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EMI测量与IEC设备分类技术总结
接跟MCU的GND相连接 - 晶振表面地挖空,外围隔开地环,打孔屏蔽到主地层 --- ## 三、esd防护设计 ### MLCC的效果  ## esd [可充分发挥esd保护元件性能的电路设计 | 静电的可视化](https://prod