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外延的方式来降低衬底引入的电阻，从而降低TVS的动态阻抗，达到降低钳位电压的目的。单向TVS是PN结正向导通，将负脉冲钳位到较低电压。双向TVS为雪崩击穿，正负脉冲都有一个管子处于正向导通状态。低容T

下，输出与输入相位相同，起始相位为0°；对于RC高通电路，由于电容作用，起始相位反相为180°。对于正向放大电路，输出与输入同相，起始相位为0°；对于反向放大电路，输出与输入反相，起始相位为180°。

述。运放的输入阻抗运放的输入阻抗跟结构有关，但是运放内部的阻抗很高，接近几百MΩ。如下图所示。信号从正向端进入，使用正向放大电路，输入阻抗很高；信号从反相端进入，使用反向放大电路，输入阻抗很低。运放的

FET和BJT一般为非轨至轨输入。输入电压范围受输入共模电压的限制。这里分两种情况，反向放大电路中，正向端接参考电源Vref，当Vref为0V时，则输入共模电压为0V，否则为Vref，此时就要判断共模

uA和总电流为1uA。选择保护管时需保证反向漏电流为0.1uA以下。ESD保护对于双电源结构的，需要正向和方向都进行保护。抗除颤除颤信号功率很大，会直接通过导联线进入系统，为了保护后端电路，有两种方式

(QRR)，该电荷导致 Q1 导通期间出现显著的电流尖峰。QRR 取决于许多参数，包括恢复前的二极管正向电流、电流转换速度和芯片温度。一般来说，MOSFET QOSS 和体二极管 MOSFET QOS

ld的磁性库，选择N52（20°）的材料，作为2个圆柱体磁铁的材料。在材料查看中，定义磁化方向为Z轴正向。选择Force目标选择小磁铁作为磁吸力仿真的目标。此处仿真的是小磁铁的受力情况，注意不要选择2

沉积后，在连接到栅极的多晶硅层下面，就会形成一个薄的高质量的氧化层，从而产生沟道。 栅极和源极间加正向电压，P-区中的少数载流子，即“少子”，也就是电子，被电场吸引到栅极下面的表面，随着栅极和源极正