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接口防护指南——其他
时,用两个电阻分压检测输入电压。OVP一般经过前级的TVS管防护后,仍然会有残余电压,参与电压过大会损坏后级的电路,而且只能防护浪涌。通过TVS管吸收大功率的浪涌后,需要继续通过OVP进行保护,防止后
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接口防护指南——浪涌
是由雷电、开关操作等引起的瞬态高压噪声,分为雷涌、开关浪涌、负载突降浪涌和ESD。浪涌可能导致大面积损坏、焊盘/金属层烧坏等问题。文章详细讨论了浪涌的防护措施,如共模浪涌抑制电路、超高浪涌电压抑制电路
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MOSFET 参数
击穿电压。是指栅源电压 VGS为0时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压,Vds超过此值会使管子损坏。Id==最大漏源电流== 场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。gfs==低频跨导