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关操作等引起的瞬态高压噪声，分为雷涌、开关浪涌、负载突降浪涌和ESD。浪涌可能导致大面积损坏、焊盘/金属层烧坏等问题。文章详细讨论了浪涌的防护措施，如共模浪涌抑制电路、超高浪涌电压抑制电路等，并提供了

AI摘要：本文介绍了接口腐蚀问题及其防护措施。腐蚀通常由金属氧化和水蒸气凝结引起，导致导电性变差和短路。实验方法包括泡水、淋雨、双85、6595等，以评估整机腐蚀防护。防护措施包括金属表面镀层、防水措

室内。可靠性：EMI、异物检测。产品匹配无线充电功能后不能干扰已有功能，安全性需要保障，因此需要经过金属异物的检测。线圈、磁性材料、芯片的损耗和频率响应不一样，成本和功耗都不同。线圈方面，做设计时重要

Design ↩ TI右腿驱动仿真电路 ↩ 抗除颤仿真文件 ↩ 金属氧化膜电阻的浪涌设计 ↩ ESD/浪涌保护器件使用方法：浪涌放电管 ↩

AI摘要：在ECG测量中，电极极化电压是由于金属表面离子与溶液中极性水分子的水化作用产生的。银/氯化银电极因其稳定性和抗极化能力，常用作生物测量电极。人体测量时，电极与皮肤接触产生极化电压，可能导致干

噪声对于电刀干扰，由于频率很高，可以使用高通滤波器。使用电刀时，由于电极接触人体，电刀和人体所接触的金属平面会产生高频电流，会通过传导和辐射干扰心电信号。除了硬件、软件上使用高通滤波，在导联线上也需要

生电容，包括长负载线和布线以及下游负载配置（例如，二次侧输出连接到底盘接地的隔离式转换器，或者用大型金属外壳固定到底盘上的电机驱动系统）所产生的寄生电容。图 7：具有 LISN 的同步升压拓扑的高频等

不同晶圆上的每一个元件也都具有相同的性能。硅制造是在严格控制的环境中，利用一系列沉积和蚀刻工艺，产生金属和多晶硅的形状集合以形成MEMS麦克风。生产MEMS麦克风涉及到的几何结构是微米(μm)级。声波

这里主要针对增强型MOS管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NMOSFET，G、S、D为3个金属电极，其中S、D的电极接到N+切被P-包围，G极与其他两极绝缘，N+为衬底（高掺浓度），N-为外延