经验总结

比较器输入端加滤波电路,滤除高频干扰,防止误触发。至少并联一个电容。推广到其他设计,就是差分输入预留对地和跨接电容。 运放的反馈端并联电容,或者并联RC。用于相位调整。 差分运放适当设置偏置电压以提到动态范围,但是要注意放大倍数。 多级放大可以降低噪声,模拟电路上面有说明。 运放输出端注意容性负载导致震荡。 WCA分析,注意最大最小值和蒙特卡罗分析值。 器件降额分析需包含电压、电流、温升。 ADC输入需要RC电路抗混叠,但是要注意其输入电阻,是否能提供足够的电流驱动内部的保持电容。 ADC的输入电流最好不大于10mA。 ADC上电瞬间输入信号是否会超过最大电压。可适当加钳位二极管。 放大器注意输入共模信号太大会导致进入交越失真区域, Read More

ECG标准分析

以《YY 0885-2013 医用电气设备 第2部分:动态心电图系统安全和基本性能专用要求》为准 通过仿真分析,判断电路是否满足规范要求。 范例 引用一个Holter的技术指标,用于说明标准。部分技术指标如下图所示。 其频率响应为0.05Hz~60Hz。查看标准P15页(51.5.9)章,如下图所示。 由于频率为带通,高通截止频率为0.67Hz或者0.05Hz, Read More

硬件工作流——预研

预研工作一般情况下会忽略,导致后期设计时因为准备不足而出现反复的情况,影响项目进度。 硬件预研是根据需求来判断要使用什么技术来实现,前期为了验证其可行性,需要考虑各种实现方法,并从厂家拿到DEMO板进行实验。 前期要做好充分的准备工作。 理论开发 前期的理论开发额外重要,因为最终的产品必须符合物理、化学等理论,才能保证后期不会出现反常现象。 理论开发主要指产品的实现方式,比如使用了什么原理,用到了什么化学反应,依赖什么光学、声学原理,符合病理、生理学等。 举例: 计步器,设计牛顿定律、人类生理学。计步器的传感器为加速度,能获取3个方向的加速度, Read More

硬件工作流——需求

要我做什么我就得做什么 产品经理定义PPT时,对于做什么是模糊的,往往是“我们要一个XXXX的东西。。。”,其细节实现需要由系统工程师慢慢分解,从各个角度、各种场景分析产品的形态,需要考虑用户的使用方法、使用过程、使用体验。 产品定义初期,只是一个想法,一般由领导决定这个产品的使用场景以及未来的发展方向。这个指示是个灯塔会指引产品的设计方向。 系统工程师做需求分析、场景定义,这个过程需要丰富的经验、精准的直觉才能分析出用户真正使用时的情况。揣摩用户的想法是个邪恶的职业,真正了解用户想法的人才能虏获用户的芳心。 产品设计输入前期会由各个方向反复讨论,定义一个简单的产品模型,分配给各个方向的人去做前期的预研设计。 谈了这么多的设计输入,才能开始说硬件的需求。 Read More

硬件工作流——概述

Mindray工作两年经验总结 我于2015年进入mindray工作,目前正两年。从创业公司进入大企业,经历了不同的管理风格。若是今日不讲出来,恐没有机会。 我是硬件工程师,工作内容主要是原理图设计和预研、PCB布局、协调PCB画板投板、样品申请、板卡测试、EMC整改、协调工装设计和调试、协调生产整机测试。 不多说,根据主次,我将按以下内容逐次讲解: 需求 方案 分析 选型 预研 设计 测试 Read More

一个主机装多个ghost blog

https://yq.aliyun.com/articles/25681 停止相关的服务 虽然我装的时候偷懒没有停止,但是还是停了保险一点,避免出错。 service ghost stop service nginx stop 修改nginx的配置 把原来的ghost文件重命名为makaiqian1.conf,并且复制一份,命名为makaiqian2.conf。这里的makaiqian1和makaiqian2可自定义。 cd /etc/nginx/ Read More

MOSFET 参数

静态参数 Idss D→S漏电流 饱和漏源电流,栅极电压VGS=0时VDS为一定值并产生预夹断时的漏源电流。一般在uA级。 Vth GS开启电压 Vgs>Vth时导通沟道形成 Rds 在特定的 VGS (一般为10V)、结温及漏极电流的条件下,MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数,决定了 MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。 V(br)ds Read More

MOSFET BASIC

注:本文根据参考资料介绍MOSFET的工作原理,详细说明请下载文档 这里主要针对增强型MOS管进行讲解。其结构如下所示。 上图为一个NMOSFET,G、S、D为3个金属电极,其中S、D的电极接到N+切被P-包围,G极与其他两极绝缘,N+为衬底(高掺浓度),N-为外延层(地掺浓度)。 判断是否为NMOS管主要看衬底是否为N型。 N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底,高掺杂沟道部分的体电阻小。然后上面为为N-的epi层,上面有两个连续的扩散区P-,沟道在P-区形成。在P-区内部, Read More

Σ-Δ模数转换器(ADC)揭秘

转自MAXIM 摘要:本文深入介绍Σ-Δ模/数转换器(ADC)的工作原理,重点关注难以理解的数字概念:过采样、噪声整形和抽样滤波等。同时包括Σ-Δ转换器的多种应用。 最新的Σ-Δ转换器通常具有较高分辨率、高度集成、低功耗以及较低成本,使其成为过程控制、高精度温度测量以及电子称等应用的上佳ADC选择。但由于设计者往往不太了解Σ-Δ类型的转换器,而选择传统的SAR ADC。 Σ-Δ转换器(1位ADC)的模拟侧非常简单;数字侧执行滤波和抽样,比较复杂,这部分使得Σ-Δ ADC的生产成本较低。为理解转换器工作原理, Read More

心电图仪介绍

转自MAXIM 摘要:本应用笔记介绍了心电图仪(ECG或EKG)的基本架构,讨论心电信号的电子测量和显示的基本原理,简述ECG设备的模拟前端(AFE)及信号通道如何数字化心率信号,讨论了各种ECG应用,包括自动体外除颤仪(AED)、病人监护仪和高端诊断型ECG及其所提供的多种功能。 概述 心电图(ECG或EKG)用于测量随时间变化的心肌电信号,并将测量结果用图形显示出来。ECG的应用范围涵盖了简单的心率监测到特殊的心脏状况诊断。任何应用中,ECG的测试原理是相同的,但设计细节以及对电子元件的要求差别很大,从价格低于$200的便携设备到超过$5000、大小与传真机等同的台式设备。 Read More